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创新并不方便. 它扰乱了. 这需要好奇心、坚韧和好奇. 因为创新会提出棘手的问题. 敬明天,敬所有今天让明天成为现实的人.

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 十博推出全球首款232层NAND

十博推出全球首款232层NAND,扩展技术领先地位

十博的业界领先232层3 d与非为端到端的新浪潮奠定了基础 技术创新. 凭借这一行业第232层的先进技术,十博能够做到最好 业界存储密度,改进的性能和业界领先的I/O速度. 这有助于解锁 客户端、移动和数据方面的数字化、优化和自动化的新机遇 中心市场.

十博迎来5万项专利的里程碑 

十博迎来5万项专利的里程碑

10bet十博的领先地位建立在内存、存储、 半导体技术及其他技术. 我们获得第5万项专利的里程碑是 反映了十博全球团队成员几十年来的创造力和他们的 奉献精神,推动创新前进.

运出业界首个1α DRAM工艺技术

1α (1-alpha)节点DRAM产品采用世界上最先进的DRAM 处理技术和提供重大改进的钻头密度,功率和性能. The 这种新的DRAM技术的应用范围广泛,影响深远 从移动设备到智能汽车的一切性能.

十博GDDR6X内存的图像

推出GDDR6X,首个内存采用PAM4多级信令

GDDR6X是世界上最快的离散图形存储解决方案,这是第一个 电力系统带宽高达1tb /s. 多层次信令创新 在GDDR6X中打破了传统的带宽限制,创下了破纪录的速度 在下一代游戏中加速复杂图像工作负载的性能 应用程序.

微米176层NAND 

运出业界首款176层NAND闪存

世界首个176层3 d与非闪存实现前所未有的成就, 行业领先的密度和性能. 总之,十博的176层新技术 先进的体系结构代表着根本性的突破,使我们能够在 应用程序性能跨越一系列存储用例跨越数据中心,智能 边缘和移动设备.

Micron®5210 ION SSD 

十博推出业界首款四层电池NAND固态硬盘

十博开始出货业界首款基于革命性四层电池的固态硬盘 (QLC) NAND技术. Micron®5210 ION SSD提供了33%的比特密度 三层单元(TLC) NAND,寻址段以前服务于硬盘驱动器 (HDDs).

Micron®Authenta™技术 

十博宣布面向物联网设备的Authenta™安全技术

Micron®Authenta™技术帮助实现强密码物联网设备身份和 闪存中的运行状况管理,为最低层提供独特的保护级别 物联网设备软件,从启动过程开始.

十博NVDIMM-N模块 

Micron NVDIMM容量翻倍至32GB

十博将其DDR4 nvdimm内存的密度增加到32GB,容量是以前的两倍 解决方案. nvdimm也被称为持久存储器,甚至可以在DRAM中永久存储数据 断电后. 十博32GB NVDIMM-N模块提供高容量和非常快的速度 吞吐量.

2016年:十博推出全球最快的图形DRAM GDDR5X

十博推出全球最快的图形DRAM GDDR5X

这种内存的创纪录的,每针数据速率使巨大的图形性能和GPGPU 计算能力. GDDR5X提供高达14Gb/s的数据速率,实质上是 优先级GDDR5内存带宽.

Micron Xccela闪光 

十博成立Xccela™联盟推广新型接口总线

Xcella™行业联盟的建立有助于加速Xcella的采用 总线接口,一种新型的高性能数字互连,适用于两者的易失性 非易失性记忆.

2015年:十博和英特尔推出3 d与非,有史以来开发的密度最高的闪存

十博和英特尔推出3 d与非,有史以来最高密度的闪存

3 d与非标志着半导体未来的一个重要拐点. 通过堆叠图层 在垂直方向上,3 d与非的容量是平面NAND的三倍 技术.

2015年:十博和英特尔宣布突破性内存3D XPoint™技术

十博和英特尔宣布3D XPoint™技术

3D XPoint代表了几十年来第一个新的内存类别. 这是非易失性存储器的 速度是NAND的1000倍,续航能力是NAND的1000倍.

2014年:十博宣布业界首款单片8Gb 的DDR3 SDRAM

十博推出首款单片8Gb 的DDR3 SDRAM

这一单一组件在单个芯片上提供了显著的密度增加到1gb. 这种更高的密度实现了高成本、高容量的优化支持解决方案 大规模的数据密集型工作负载.

2013年:十博发布世界上最小的16纳米NAND闪存设备

十博发布世界上最小的16纳米NAND闪存设备

十博的16nm工艺技术在一个模具上提供了16GB的存储空间 有史以来密度最高的平面NAND闪存. 采用这种工艺,单件300毫米 晶圆可以创建近6TB的存储空间.

2012年:10bet十博宣布行业第一个2.5英寸PCIe企业固态硬盘

十博公司生产行业第一个2.5英寸PCIe企业固态硬盘

该解决方案结合了高性能PCI Express接口和可热插拔的2.5英寸 外形因素和自定义十博控制器,为企业性能创造了新的选项 可伸缩性和可服务性.

2012:十博为Ultrabooks™创造了新的低功耗DRAM品类

十博为Ultrabook™设备创建新的低功耗DRAM类别

DDR3L-RS存储器建立了一种新的“低功耗”DRAM解决方案, 为新一代高性能超薄设备提供更长的电池寿命 笔记本电脑、平板电脑和超极本系统.
*Ultrabook是英特尔公司的商标 在美国的子公司.S. 和/或其他国家.

2011年:十博和英特尔宣布全球首款20nm 多层陶瓷与非芯片

十博和英特尔发布全球首款20nm 多层陶瓷与非芯片

这个128Gb的MLC内存可以在一个指尖大小的包中存储1Tb的数据,只需要8个 死亡,设定了一个新的存储基准. 此外,该内存是第一个使用 创新的平面单元结构,克服了标准浮栅的缩放限制 NAND.

2011年:十博首次推出混合内存立方体(HMC)架构

十博首次推出混合内存立方体(HMC)架构

混合内存立方体(HMC)是一种革命性的DRAM体系结构,它将高速逻辑与 一种使用透硅(TSV)技术的存储模. 从HMC的学习继续 应用于未来新兴的存储技术.

2009年:十博发布RealSSD™C300,业界最快的客户端SSD

十博发布RealSSD™C300,业界最快的客户端SSD

在发布时,C300是业界速度最快的笔记本和台式SSD设备 PCs. 支持SATA III接口,这款SSD提供了6gb /s的性能 提高了数据传输、应用程序负载和引导时间的吞吐量速度.

2007年:十博开发出业界首款沥青双倍NAND

十博开发出业界首款沥青双倍NAND

沥青加倍被介绍为一种增加位密度的光刻技术 光刻技术改变. 这种方法涉及到将位线分离为第一金属和第二金属 层,允许十博在现有的50nm技术上交付16Gb MLC器件.

2007年:10bet十博推出低延迟、低功耗rldramam -2内存

十博公司推出低延迟、低功耗RLDRAM 2内存

最初设计用于网络,这种高性能DRAM迅速成为解决方案 选择一个意想不到的应用:基于dlp的电视和投影仪. 虽然密度增加了 随着时间的推移,降低延迟的DRAM仍然是当今网络应用的主要内容.

2007年:十博和英特尔率先推出Sub-40nm NAND闪存

十博和英特尔率先推出Sub-40nm NAND闪存

这款多级单元(MLC) NAND闪存设备是业界首款单片32Gb闪存 NAND能够在非常小的形状因子器件中实现高密度固态存储, 包括数码相机、个人音乐播放器和数码摄像机.

2006年:十博开发猫鼬测试仪,提高精度,降低成本

十博开发猫鼬测试器,提高精度,降低成本

这款内部开发的测试仪专门被十博用于提高DRAM测试吞吐量 和准确性. 十博继续发展这一测试平台,以满足新的和未来的内存 标准.

2006年:十博公布了世界上密度最高的服务器内存模块

十博揭开了世界上密度最高的服务器内存模块

十博的16GB DDR2模块在21世纪初快速增长的服务器内存中发挥了重要作用 虚拟化技术的兴起将多个应用程序打包到单个服务器上. These 高密度的服务器模块是当今的趋势.

2005年:10bet十博推出高容量、低功耗移动LPDRAM

十博推出高容量、低功耗移动LPDRAM

十博的16MB DRAM -建立在一个微小的33mm2模上-使更高的容量和 能耗低,占地面积小. 随着手机从简单的语音过渡到多媒体, ldram的需求急剧增加,这一趋势在今天的智能手机中仍在继续.

2004年:十博公司推出手机伪静态RAM (PSRAM)

十博公司推出手机伪静态RAM

伪静态SRAM (PSRAM)提供了所需的高带宽、容量和低功耗 取代移动设备中的SRAM. 十博在PSRAM领域的领先地位为未来铺平了道路 目前在移动设备中使用的低功耗DRAM产品.

2004年:10bet十博开发出业界首个6F2 DRAM电池

10bet十博开发了行业首个6F2 DRAM单元

十博公司开发了全新的6F2 单元架构将取代工业界的 8F2 单元标准,每晶圆可增加约25%的比特位. This 更高密度的设计使十博重新获得了业内最高的称号 具有成本竞争力的内存生产商.

2003年:10bet十博发展.300万像素CMOS图像传感器

微米发展.300万像素CMOS图像传感器

十博进入图像传感器领域,使该公司成为有能力制造的创新者 CMOS技术与图像质量竞争电荷耦合器件(CCD)传感器. 今天,互补金属氧化物半导体 传感器是所有类型数码相机的标配,从智能手机到高端相机 专业的设备.

2002年:十博在110纳米工艺上演示了业界首个1千兆DDR

十博在110纳米工艺上展示了业界首个1gb DDR

十博的1Gb DDR采用了世界上最先进的工艺技术(110nm), 超过了半导体巨头英特尔和AMD这两家仍在研发130纳米技术的公司. 这个芯片建立了 十博在密度和接口性能方面都是内存行业的领导者.

2000年:十博发明QDR SRAM,使内存带宽翻倍

十博的四数据速率SRAM使内存带宽加倍

十博的创新四数据速率(QDR)架构有效地将SRAM提高了一倍 通信应用(如交换机和路由器)的带宽. 这种独特的设计 两个端口以两倍的数据速率独立运行,导致每个时钟有四个数据项 cycle.

1999年:十博生产了业界第一款双数据速率(DDR) DRAM

十博生产业界首款DDR DRAM

十博的武士双数据速率(DDR)芯片组的演示证明了DDR内存 可以提供与竞争对手的直接RDRAM解决方案相当的性能,但要低得多 cost. 最终,DDR将成为无可争议的行业标准接口 高性能DRAM.

1999年:十博16兆DRAM使新的Windows 3操作系统的个人电脑得以使用.1

十博16兆DRAM支持新Windows 3的pc.1

作为密度的里程碑,这款16mb DRAM取代了十博的主流4mb DRAM产品. 这些更高容量的芯片恰逢微软发布Windows 3.1、哪个开车 最低PC RAM要求为1兆字节.

1988年:10bet十博推出首款视频RAM和快速静态RAM产品

十博首次推出视频RAM和快速静态RAM产品

256K视频RAM和快速静态RAM的推出拓宽了十博的产品 超越传统DRAM的产品组合,使十博成为差异化内存领域的参与者 types.

1988年:十博达到1兆DRAM里程碑

十博公司推出1mb DRAM

作为密度的里程碑,1Mb DRAM成为pc和显卡的主要内存 在20世纪80年代末和90年代. 十博的1Mb DRAM支持高容量SIMM模块 支持安装微软新Windows操作系统的个人电脑.

1984年:十博公司推出世界上最小的256K DRAM芯片

十博公布世界上最小的256K DRAM芯片

除了被介绍为世界上最小的256K DRAM模,该芯片也 代表了DRAM密度的行业里程碑. 通过使用更大、更容易读取的内存 对于年轻人来说,256K DRAM是未来效率和盈利的跳板 内存启动.

1981年:十博推出首款64K DRAM产品

十博推出首款64K DRAM产品

十博的64K DRAM是该公司新建成的工厂生产的第一款产品 位于爱达荷州博伊西的制造厂. 十博将其64K DRAM卖给了许多首批厂商 大量生产的个人电脑,包括Commodore 64家用电脑.

1979年:工程师完成64K DRAM的设计

十博最终完成64K DRAM设计

虽然不是第一家生产64K DRAM的公司,但十博的工程师创造了一种更新、更小的DRAM 该版本被誉为世界上最小的64K DRAM设计. 这个创新的设计 到1981年大批量生产公司第一款64K产品.

1978年:10bet十博成立

10bet十博成立

10bet十博最初是爱达荷州博伊西市一家四人半导体设计公司 牙科诊所. 十博的第一份合同是为Mostek设计64K存储芯片 公司.

精神虚弱的人不适合取得突破.

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