DRAM

Benefits

• 更高的性能
• 提高数据速率
• 提高RAS(可靠性、可用性、可服务性)
• 支持持续缩放

Benefits

• 高性能
• 提高节能效果
• 提高数据速率
• 更快的突发访问

• Densities
  4Gb - 32Gb
• Width
  x4, x8, x16
• Voltage
  1.2V

Benefits

• 支持大内存子系统
• 提高电源效率
• 高性能
• 增加带宽

• Densities
  1Gb - 8Gb
• Width
  x4, x8, x16
• Voltage
  1.35V, 1.5V

Benefits

• 支持大内存子系统
• 低电压，节能的选择
• 延长工作温度

• Densities
  512Mb - 4Gb
• Width
  x4, x8, x16
• Voltage
  1.8V

Benefits

• 延长工作温度
• JEDEC-compliant

• Densities
  256Mb - 1Gb
• Width
  x4, x8, x16
• Voltage
  2.5V, 2.6V

Benefits

• 延长工作温度
• JEDEC-compliant
• 易于实施

• Densities
  64Mb - 512Mb
• Width
  x8, x16, x32
• Voltage
  3.3V

Benefits

• 高性能
• 超低的总线周转时间，实现更高的可持续带宽
• 包缓冲和检查的理想选择
• 延长工作温度

• Densities
  288Mb - 1.125Gb
• Width
  X9 x18 x36
• Voltage
  1.35V, 1.8V

Benefits

• 可提供多种技术:LPSDR, LPDDR, LPDDR2, LPDDR3和LPDDR4
• 低待机电流和低自刷新延长电池寿命
• 温度补偿自刷新(TCSR)和部分阵列自刷新(PASR)模式

• Densities
  512Mb - 32Gb
• Width
  X16, x32, x64, x128
• Voltage
  0.6V, 1.1V, 1.2V, 1.8V