多片包

获得关键的特性和功能,以最大化您的设计-高性能, 高质量的, 功率效率, 宽密度范围, 小包装尺寸, 工业温度范围和更多-从我们广泛的行业标准多芯片包(mcp)组合.

探索微米多芯片包

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e.MMC-Based MCP
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好处
  • 单包嵌入式托管NAND和高性能LPDRAM
  • 为复杂的高密度NAND应用简化的软件解决方案
  • 技术
    e.Mmc, lpddr2 sdram, lpddr3 sdram, lpddr4 sdram
  • 密度
    e.MMC: 4GB–32GB; LPDRAM: 4Gb–48Gb
  • Wfbga, vfbga, tfbga, pop
基于ufc的MCP (uMCP)
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好处
  • 在单个包中嵌入托管NAND和高性能LPDRAM.
  • 支持高密度、低功耗存储,占地面积小.
  • 技术
    Lpddr4 sdram, lpddr4x sdram, ufs 3d nand
  • 密度
    UFS: 32GB; LPDRAM: 24Gb (3GB)
  • WFBGA
NAND-Based MCP
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好处
  • 为数据密集型应用程序提供高密度
  • 提供高速,x8, x16和x32总线宽度
  • 使用SLC NAND实现高可靠性,可提供高达100,000个PROGRAM/ERASE循环
  • 技术
    LPDDR sdram, lpddr2 sdram, lpddr3 sdram, lpddr4 sdram
  • 密度
    NAND: 1Gb - 8Gb
  • Wfbga, vfbga, tfbga, pop
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